Нефть Brent
$75.17
+1.25%
4В Омском НИИ приборостроения завершается разработка сверхбольшой интегральной схемы класса «система на кристалле» (СБИС СнК) размером 0,18 микрона. Чип омского производства сможет заменить несколько десятков традиционных комплектующих. Он спроектирован для разного диапазона частот, а также оснащен специальными системами поверхностного монтажа, позволяющими свести к минимуму возможность выпуска бракованного изделия.
Инновационная разработка ОННИП в сфере нанотехнологий будет востребована как в военных, так и в гражданских целях. В частности, с помощью СБИС СнК получит развитие система транкинговой профессиональной связи, которая позволит, например, бригадам скорой помощи в режиме реального времени передавать информацию о состоянии больного в медицинский центр для получения необходимых консультаций. В интересах национальной обороны новую российскую разработку можно использовать для создания передовой системы управления боем. Существуют перспективы применения чипов в аппаратуре для дальней радиосвязи шестого поколения и отечественной глобальной навигационной системе «ГЛОНАСС».
Единственный за Уралом микроэлектронный дизайн-центр открыт в 2008 году в Омске при поддержке регионального Правительства. Он является составной частью создаваемой в стране сети дизайн-центров, цель которых – разработка микрочипов нового поколения. Серийное производство СБИС СнК планируется запустить на предприятиях «Ангстрем» и «Микрон» в Зеленограде. К 2013 году согласно программе развития отечественного радиоэлектронного комплекса омскими специалистами должна быть освоена разработка чипа размерностью 0,006 микрона.
